رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BSP372 E6327
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BSP372 E6327-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 1.7A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
المخزون:
12798611
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BSP372 E6327 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
SIPMOS®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
1.7A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
310mOhm @ 1.7A, 5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 1mA
Vgs (ماكس)
±14V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
520 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.8W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-SOT223-4
العبوة / العلبة
TO-261-4, TO-261AA
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
SP000011120
BSP372E6327T
BSP372 E6327-DG
BSP372E6327
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
AOH3106
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
AOH3106-DG
سعر الوحدة
0.12
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
FQT7N10LTF
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
55
DiGi رقم الجزء
FQT7N10LTF-DG
سعر الوحدة
0.22
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
PMT280ENEAX
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
3365
DiGi رقم الجزء
PMT280ENEAX-DG
سعر الوحدة
0.11
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BSC052N03LSATMA1
MOSFET N-CH 30V 17A/57A TDSON
BSF134N10NJ3GXUMA1
MOSFET N-CH 100V 9A/40A 2WDSON
AUIRFB8407
MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB